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TH58NVG8D7EBAK0

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TH58NVG8D7EBAK0
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生13360533550
电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
14145
SAMSUNG/三星
BGA224
22+
-
原厂原装现货

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TH58NVG8D7EBAK0 技术参数

TH58NVG5S0FTA20 功能描述:IC FLASH 32GBIT 25NS 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH 存储容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 TH58NVG4S0FTA20 功能描述:IC FLASH 16GBIT 25NS 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH 存储容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 TH58BYG2S3HBAI6 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:4GB SLC BENAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V (EEPROM) 2K PAGE - Trays TH4C476K010C0500 功能描述:47μF Molded Tantalum Capacitors 10V 2413 (6032 Metric) 500 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) 制造商:vishay sprague 系列:TANTAMOUNT? TH4 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电容:47μF 容差:±10% 电压 - 额定:10V ESR（等效串联电阻）:500 毫欧类型:模制工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2413（6032 公制）大小/尺寸:0.236" 长 x 0.126" 宽（6.00mm x 3.20mm）高度 - 安装（最大值）:0.110"（2.80mm）引线间距:- 制造商尺寸代码:C 特性:通用不同温度时的使用寿命:- 标准包装:1 TH4C226K016C1400 功能描述:22μF Molded Tantalum Capacitors 16V 2413 (6032 Metric) 1.4 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) 制造商:vishay sprague 系列:TANTAMOUNT? TH4 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电容:22μF 容差:±10% 电压 - 额定:16V ESR（等效串联电阻）:1.4 欧姆类型:模制工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2413（6032 公制）大小/尺寸:0.236" 长 x 0.126" 宽（6.00mm x 3.20mm）高度 - 安装（最大值）:0.110"（2.80mm）引线间距:- 制造商尺寸代码:C 特性:通用不同温度时的使用寿命:- 标准包装:1 TH71101ENE-CAA-000-SP TH71101ENE-CAA-000-TR TH71102ENE-BAA-000-RE TH71111ENE-BAA-000-RE TH71111ENE-BAA-000-TR TH71112ENE-BAA-000-RE TH71112ENE-BAA-000-TR TH71221ELQ-BAA-000-RE TH71221ELQ-BAA-000-SP TH71221ELQ-BAA-000-TU TH7122ENE-BAA-000-RE TH7122ENE-BAA-000-SP TH7122ENE-BAA-000-TR TH72001KDC-BAA-000-RE TH72001KDC-BAA-000-SP TH72001KDC-BAA-000-TU TH72002KDC-BAA-000-RE TH72002KDC-BAA-000-SP