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TE28F128P30B85ES

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TE28F128P30B85ES
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
22329
INTEL/英特尔
TSOP
22+
-
原厂原装现货

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1

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TE28F128P30B85ES 技术参数

TE28F128P30B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ TE28F128J3D75B 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ TE28F128J3D75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ TE28F128J3C150SL759 功能描述:IC FLASH 128MBIT 150NS 56TSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘其它名称:497-5040 TE2500B22RJ 功能描述:RES CHAS MNT 22 OHM 5% 2500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE，CGS 包装:散装零件状态:有效电阻（欧姆）:22 容差:±5% 功率（W）:2500W 成分:绕线温度系数:±440ppm/°C 工作温度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃，安全涂层，外壳类型:硅酮涂层安装特性:支架大小/尺寸:2.362" 直径 x 23.622" 长（60.00mm x 600.00mm）高度:- 引线形式:焊片封装/外壳:径向，管状标准包装:6 TE28F256J3C125SL7HD TE28F256J3D95A TE28F256J3D95B TE28F256J3D95B TR TE28F256J3F105A TE28F256P30B95A TE28F256P30BFA TE28F256P30T95A TE28F256P30TFA TE28F256P33B95A TE28F256P33BFA TE28F256P33T95A TE28F256P33TFA TE28F320C3BD70 TE28F320C3TD70A TE28F320J3C110SL7H8 TE28F320J3D75A TE28F640J3C115SL7HA