STTH8L066G-TR

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier

STTH8L066G-TR 技术参数

STTH8L02DDJFY-TR 功能描述:DIODE ARRAY GP 200V 4A PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，ECOPACK?2 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:40ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STTH8BC065DI 功能描述:DIODE GEN PURP 650V 8A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC 供应商器件封装:TO-220AC ins 工作温度 - 结:* 标准包装:50 STTH8BC060D 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:3.6V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:40ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:- 标准包装:50 STTH812G-TR 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.2V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:8μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH812FP 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.2V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:8μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220FPAC 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:50 STTH8R04DI STTH8R04FP STTH8R04G STTH8R04G-TR STTH8R06D STTH8R06DIRG STTH8R06FP STTH8R06G STTH8R06G-TR STTH8R06GY-TR STTH8S06B-TR STTH8S06D STTH8S06FP STTH8S12D STTH8ST06DI STTH8T06DI STTH9012TV1 STTH9012TV2