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STP80NF03L04

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 19410

  • STM

  • TO220

  • 1723+

  • -
  • ★★原盒原装原标签,现货库存商★★

  • STP80NF03L04
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    现货
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:谭玉丽

    电话:19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 19410

  • STM

  • TO220

  • 1723+

  • -
  • ★★原盒原装原标签,现货库存商★★

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  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • STM

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  • 2021+

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  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • STP80NF03L04
    STP80NF03L04

    STP80NF03L04

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:刘春兰

    电话:19129491434(微信同号)

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 1941

  • STM

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  • 1516+

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STP80NF03L04 技术参数
  • STP80NF03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):110nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 STP80NE06-10 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10000pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP80N70F6 功能描述:MOSFET N CH 68V 96A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):68V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):96A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 48A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):99nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5850pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP80N6F6 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):110A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.8 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):122nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7480pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP80N20M5 功能描述:MOSFET N-CH 200V 61A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):61A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 30.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):104nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4329pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP80NF55-08AG STP80NF55L-06 STP80NF70 STP80PF55 STP85N3LH5 STP85NF55 STP85NF55L STP8N65M5 STP8N80K5 STP8N90K5 STP8NK100Z STP8NK80Z STP8NK80ZFP STP8NK85Z STP8NM50 STP8NM50FP STP8NM50N STP8NM60
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