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S29GL01GS11DHIV10.

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制造商
Spansion
功能描述
1G BIT3V PAGE110NS MODE FLASH MEMORY F

S29GL01GS11DHIV10. 技术参数

S29GL01GS11DHIV10 功能描述:闪存 1G 3V 110ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL01GS11DHI020 功能描述:闪存 1G 3V 100ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL01GS11DHI010 功能描述:闪存 1G 3V 100ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL01GS10TFI020 功能描述:闪存 1G 3V 100ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL01GS10TFI010 功能描述:闪存 1G 3V 100ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL01GS11DHV020 S29GL01GS11DHV023 S29GL01GS11FAIV10 S29GL01GS11FAIV13 S29GL01GS11FAIV20 S29GL01GS11FAIV23 S29GL01GS11FHB020 S29GL01GS11FHB023 S29GL01GS11FHI010 S29GL01GS11FHI020 S29GL01GS11FHIV10 S29GL01GS11FHIV13 S29GL01GS11FHIV20 S29GL01GS11FHIV23 S29GL01GS11FHSS20 S29GL01GS11FHSS50 S29GL01GS11FHSS53 S29GL01GS11FHSS60