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PMPB40SNA

配单专家企业名单
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  • PMPB40SNA
    PMPB40SNA

    PMPB40SNA

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NXP/恩智浦

  • SOT1220

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PMPB40SNA
    PMPB40SNA

    PMPB40SNA

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • DFN

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • PMPB40SNA
    PMPB40SNA

    PMPB40SNA

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • NXP

  • DFN

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • PMPB40SNA
    PMPB40SNA

    PMPB40SNA

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 5250

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1220

  • 23+

  • -
  • 百分百进口原装环保整盘

  • PMPB40SNA,115
    PMPB40SNA,115

    PMPB40SNA,115

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • 6-DFN2020MD(2x2)

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 60V 12.9...

  • PMPB40SNA
    PMPB40SNA

    PMPB40SNA

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 7160

  • NXP

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • PMPB40SNA,115
    PMPB40SNA,115

    PMPB40SNA,115

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 12000

  • NXP

  • SOT1220

  • 13+

  • -
  • 原装正品,现货库存

  • PMPB40SNA,115
    PMPB40SNA,115

    PMPB40SNA,115

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 10000

  • PHA

  • SOT1220

  • 15+

  • -
  • 原装正品,价格优势!

  • PMPB40SNA
    PMPB40SNA

    PMPB40SNA

  • 深圳市泽芯微科技有限公司
    深圳市泽芯微科技有限公司

    联系人:柯小姐

    电话:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亚洲国利大厦A座24层12室

  • 20000

  • nxp

  • dfn

  • 14npb

  • -
  • 原装现货

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 60V 1.2A DFN20
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH, 60V, 1.2A, DFN2020MD-6; Transistor Polarity
PMPB40SNA 技术参数
  • PMPB40ENAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):18nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):590pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):15W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):43 毫欧 @ 5A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD(2x2) 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB33XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):23nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1575pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):37 毫欧 @ 5.5A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD(2x2) 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB33XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.3A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.3A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):505pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.5W(Ta),8.3W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):47 毫欧 @ 4.3A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD(2x2) 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB29XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):45nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2970pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):32.5 毫欧 @ 5A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD(2x2) 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB29XNE,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):18.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1150pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 5A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD(2x2) 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 PMPB85ENEAX PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEAX PMP-BUCKET PMPF-1P PMPF-1PF PMR01ZZPJ000 PMR01ZZPJU10L PMR03EZPFU10L0 PMR03EZPJ000 PMR03EZPJU10L PMR100HZPFU10L0 PMR100HZPFU5L00 PMR100HZPFU6L00 PMR100HZPFU7L00 PMR100HZPFU8L00 PMR100HZPFU9L00 PMR100HZPFV1L00
配单专家

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