ZXMP10A13FTA

品牌：DIODES

封装：SOT-23

FET 类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1 欧姆 @ 600mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 3.5nC @ 10V Vgs（最大值） ±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 141pF @ 50V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 625mW（Ta） 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

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