IRFS3107-7PPBF

品牌：IR

封装：TO263-7

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 240A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.6 毫欧 @ 160A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 240nC @ 10V Vgs（最大值） ±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9200pF @ 50V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 370W（Tc） 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）