AO3415A

品牌：AOS

封装：SOT23

FET 类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 850mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V Vgs（最大值） ±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 940pF @ 10V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 1.5W（Ta） 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

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