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FDT86106LZ

林小姐//方先生 | 2593 天前 14:00 | 阅读(168)
型号:FDT86106LZ
品牌：FAIRCHILD 
封装：SOT-223 
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 108 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 7nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 315pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.2W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

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