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刘先生 | 3430 天前 14:13 | 阅读(36)
号: CSD13302W
类别: fet - 单
制造商: Texas Instruments
描述: MOSFET N-CH 12V 1.6A
?湿气敏感性等级(MSL): 1(无限)
FET类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 12V
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 1.6A(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 17.1m? @ 1A, 4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 1.3V @ 250μA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg): 7.8nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss): 862pF @ 6V
功率-最大值: 1.8W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-UFBGA,DSBGA
供应商器件封装: 4-DSBGA(1x1)

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