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BSC082N10LS G BSC084P03NS3 G BSC084P03NS3EGATMA1 BSC090N03LS G场效应管【淘芯商城】

刘先生 | 3437 天前 15:04 | 阅读(46)
型号: BSC082N10LS G
类别: fet - 单
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
?湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限）
FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 13.8A（Ta），100A（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 8.2 毫欧 @ 100A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.4V @ 110μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 104nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）: 7400pF @ 50V
功率-最大值: 156W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8

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