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MBR140SF

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  • MBR140SFT1G
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  • 北京京华特科技有限公司
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  • 深圳市安博威科技有限公司
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  • 北京力通科信电子有限公司
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  • 深圳市科宏特电子有限公司
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    联系人:李瑞兵

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MBR140SF 技术参数
  • MBR130HWTR 功能描述:PIV 30V IO 1A VF 0 45V PACKAGE S 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):450mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400μA @ 30V 不同?Vr,F 时的电容:50pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 MBR12060CTR 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):120A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):750mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR12060CT 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):120A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):750mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR12045CTR 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):120A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):650mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR12045CT 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):120A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):650mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR15100CT-E1 MBR15100CTF-E1 MBR15100CTF-G1 MBR15100CT-G1 MBR15100CTHC0G MBR15150CT C0G MBR15150CTHC0G MBR15200 MBR15200DJFTR MBR15200STR MBR1530CT MBR1535CT MBR1535CT C0G MBR1535CT-1 MBR1535CT-E3/45 MBR1535CTG MBR1535CTHC0G MBR1535CTHE3/45
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