2N4857

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制造商
Motorola
功能描述
2N4857 N13B6A
制造商
Harris Corporation
功能描述
制造商
功能描述
制造商
INFINEION
功能描述
制造商
MILITARY SPECIFICATIONS P
功能描述
制造商
Motorola Inc
功能描述
制造商
undefined
功能描述
制造商
Solid State Devices Inc (SSDI)
功能描述
N-Channel Mosfet TO-18
制造商
ELMO
功能描述
JFET Transistor, N-Channel, TO-18
制造商
Harris Corporation
功能描述
JFET Transistor, N-Channel, TO-18
制造商
Motorola Inc
功能描述
JFET Transistor, N-Channel, TO-18

2N4857 技术参数

2N4856UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4856JTXV02 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 标准包装:1 2N4856JTXL02 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4856JTX02 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4856JAN02 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02 2N4859JTX02 2N4859JTXL02 2N4859JTXV02 2N4859UB 2N4860 2N4860JAN02 2N4860JTX02 2N4860JTXL02 2N4860JTXV02 2N4860UB 2N4861JAN02 2N4861JTX02