1PMT16A

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1PMT16A 技术参数

1PMT12AT3G 功能描述:TVS DIODE 12VWM POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:19.9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:12,000 1PMT12AT3 功能描述:TVS DIODE 12VWM POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:19.9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:12,000 1PMT12AT1G 功能描述:TVS DIODE 12VWM POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:19.9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:1 1PMT12AT1 功能描述:TVS DIODE 12VWM POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:19.9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:10 1PLDES1800 功能描述:DESICCANT 1 UNIT 1800/DRUM 制造商:scs 系列:- 包装:鼓零件状态:有效清洁剂，处理方式:干燥剂使用:湿气吸收规格:高岭黏土，无硫数量:1800（4.5" 长 x 3" 宽）备注:* 标准包装:1 1PMT26AT1G 1PMT28AT1 1PMT28AT1G 1PMT30AT1 1PMT30AT1G 1PMT33AT1 1PMT33AT1G 1PMT33AT3 1PMT33AT3G 1PMT36AT1 1PMT4099/TR13 1PMT4099/TR7 1PMT4099C/TR13 1PMT4099C/TR7 1PMT4099CE3/TR13 1PMT4099CE3/TR7 1PMT4099E3/TR13 1PMT4099E3/TR7