VNS3NV04DPTRE

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VNS3NV04DPTRE
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
856420
stm
原厂封装
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VNS3NV04DPTRE
深圳市百润电子有限公司
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联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
1500
TI
VQFN
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VNS3NV04DPTRE 技术参数

VNS3NV04DP-E 功能描述:功率驱动器IC OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNS3NV04D-E 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS3NV04D13TR 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS3NV04D 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS30-2051 功能描述:N Type Connector Jack, Female Socket 50 Ohm Free Hanging (In-Line) Solder 制造商:cinch connectivity solutions vitelec 系列:- 包装:散装零件状态:有效连接器样式:N 型连接器类型:插孔，母形插口触头端接:焊接保护端接:夹子阻抗:50 欧姆安装类型:自由悬挂电缆组:RG-58 紧固类型:有螺纹频率 - 最大值:11GHz 特性:- 外壳颜色:银侵入防护:- 基体材料:黄铜基体表面:镍中心触头材料:黄铜中心触头镀层:金介电材料:聚四氟乙烯（PTFE）额定电压:1500V 工作温度:-65°C ~ 165°C 标准包装:25 VNS50-2050 VNS50-2051 VNS7NV04-E VNS7NV04PTR-E VNS7NV04TR-E VNT50 VNT50F VNV10N07 VNV10N0713TR VNV10N07-E VNV10N07TR-E VNV14N04 VNV14N04-E VNV20N07 VNV20N0713TR VNV20N07-E VNV20N07TR-E VNV28N04