VND5012A-E

配单专家企业名单

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说明
操作

VND5012A-E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
原厂原装
15+
-
原装正品，假一罚十

VND5012A-E
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
ST
价格优势
17+
-
原装正品。优势供应

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VND5012A-E 技术参数

VND5004BTR-E 功能描述:功率驱动器IC Double 4mOhm HSD w/analog sense RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5004BSP30TR-E 功能描述:功率驱动器IC Double 4mOhm HSD w/analog sense RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5004ASP30TR-E 功能描述:功率驱动器IC Double 4mOhm Hi Side Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND3NV04TR-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VND3NV04-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VND5050AKTR-E VND5050J-E VND5050JTR-E VND5050K-E VND5050KTR-E VND5160AJ-E VND5160AJTR-E VND5160J-65-E VND5160J-E VND5160JTR-65-E VND5160JTR-E VND5E004A30TR-E VND5E004ATR-E VND5E004C30-E VND5E004C30TR-E VND5E006ASP-E VND5E006ASPTR-E VND5E008ASP-E