STU11NM60ND_代理商_批发/采购【买卖IC网】STU11NM60ND

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STU11NM60ND
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
400045
YXYBDT台湾
IPAKTO-25
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

STU11NM60ND
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
ST
TO-251
22+
-
十年配单，只做原装

STU11NM60ND
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ST
IPAK
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

STU11NM60ND
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：竺小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
IPAK/TO-251
25+
-
国产品牌，替代进口

STU11NM60ND
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
24089
ST/意法
TO-251
22+
-

STU11NM60ND
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
IPAK TO-251
ST
17+
-
原装正品。优势供应

STU11NM60ND
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
I-Pak
18+
-
MOSFET N-CH 600V 10A...

STU11NM60ND
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
I-Pak
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

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1

您是不是要找： STU12N60M2 STU12N65M5 STU13005N STU13N60M2 STU13N65M2 STU13NM60N STU150N3LLH6 STU16N60M2 STU16N65M2

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功能描述
MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

STU11NM60ND 技术参数

STU11N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:670 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:410pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:IPAK（TO-251）标准包装:75 STU10P6F6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 10A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:340pF @ 48V 功率 - 最大值:35W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:IPAK（TO-251）标准包装:75 STU10NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:540pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU10N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STTS75M2F 功能描述:SENSOR TEMPERATURE SMBUS 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效传感器类型:数字，本地检测温度 - 本地:-55°C ~ 125°C 检测温度 - 远程:- 输出类型:I2C/SMBus 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V 分辨率:11 b 特性:单触发，输出开关，可编程极限，可编程分辨率，待机模式精度 - 最高（最低）:±2°C（±3°C）测试条件:-25°C ~ 100°C（-55°C ~ 125°C）工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STU16N65M5 STU1HN60K3 STU27N3LH5 STU2LN60K3 STU2N105K5 STU2N62K3 STU2N80K5 STU2N95K5 STU2NK100Z STU3LN62K3 STU3LN80K5 STU3N45K3 STU3N62K3 STU3N65M6 STU3N80K5 STU40N2LH5 STU4N52K3 STU4N62K3