STP12NK80ZFP

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STP12NK80ZFP
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
7899
ST
TO-220
13+
-
绝对公司原装现货

STP12NK80ZFP
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
10000
ST
TO-220F
17+
-
★专注专业，诚信为本，品质第一，共创双赢...

STP12NK80ZFP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
500
ST
TO-220F
2015
-
全新原装现货

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1

您是不是要找： STP12NM50 STP12NM50FD STP12NM50FP STP12NM50N STP12NM60N STP12PF06 STP130N10F3 STP130N6F7 STP130N8F7

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STP12NK80ZFP 技术参数

STP12NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:750 毫欧 @ 5.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:87nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2620pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP12NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:640 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:59nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1740pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP12NK30Z 功能描述:MOSFET N-CH 300V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:670pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP12N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:430 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP12N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:450 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:538pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP130NH02L STP13N60M2 STP13N65M2 STP13N80K5 STP13N95K3 STP13NK50Z STP13NK60Z STP13NK60ZFP STP13NM50N STP13NM60N STP13NM60ND STP140N4F6 STP140N6F7 STP140N8F7 STP140NF55 STP140NF75 STP141NF55 STP14N80K5