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说明
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STGF30H60DF
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220F
25+
-
国产品牌，替代进口

STGF30H60DF
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
569888
ST意法
N/A
21+
-
原装正品现货，支持BOM配单！

STGF30H60DF
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

STGF30H60DF
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
TO-220FP
18+
-
IGBT 600V 60A 37W TO...

STGF30H60DF
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2885
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STGF30H60DF
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
TO-220FP
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

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制造商
STMicroelectronics
功能描述
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
制造商
STMicroelectronics
功能描述
IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube
制造商
STMicroelectronics
功能描述
IGBT 600V 34A 31W TO220FP
制造商
STMicroelectronics
功能描述
600V 30A High Speed Trench Gate IGBT

STGF30H60DF 技术参数

STGF20NB60S 功能描述:IGBT 600V 24A 40W TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:24A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):70A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.7V @ 15V，20A 功率 - 最大值:40W 开关能量:840μJ（开），7.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:83nC 25°C 时 Td（开/关）值:92ns/1.1μs 测试条件:480V，20A，100 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGF20M65DF2 功能描述:IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:M 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:32.6W 开关能量:140μJ (开)，560μJ (关) 输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/108ns 测试条件:400V，20A，12 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGF20H60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 37W TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:37W 开关能量:209μJ（开），261μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:115nC 25°C 时 Td（开/关）值:42.5ns/177ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:90ns 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGF19NC60WD 功能描述:IGBT 600V 14A 32W TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):- 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，12A 功率 - 最大值:32W 开关能量:81μJ（开），125μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:31ns 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:1 STGF19NC60KD 功能描述:IGBT 600V 16A 32W TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.75V @ 15V，12A 功率 - 最大值:32W 开关能量:165μJ（开），255μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:31ns 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGF6M65DF2 STGF6NC60HD STGF7H60DF STGF7NB60SL STGF7NC60HD STGF8NC60KD STGFL6NC60D STGFL6NC60DI STGFW20H65FB STGFW20V60DF STGFW20V60F STGFW30H65FB STGFW30NC60V STGFW30V60DF STGFW30V60F STGFW35HF60W STGFW40H65FB STGFW40V60DF

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