STB8NA50T4

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STB8NA50T4
现货
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
6272
ST/华雄半导体
TO-263
2301+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

STB8NA50T4
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
STM
标准封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

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STB8NA50T4 技术参数

STB8N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA Vgs（最大值）:±30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:130W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 1.17A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 STB8N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:690pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB85NS04Z 功能描述:MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SAFeFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:33V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2500pF @ 25V 功率 - 最大值:215W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB85NF55LT4 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:110nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4050pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB85NF3LLT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2210pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB9NK70ZT4 STB9NK80Z STB9NK90Z STBB1-APUR STBB1PUR STBB2J29-R STBB2J30-R STBB2JAD-R STBB3JCCR STBB3JR STBC02AJR STBC02BJR STBC02JR STBC03JR STBC08PMR STBC21FTR STBCFG01JR STBP110CVDJ6F