您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > P字母型号搜索 > P字母第1852页 >

PSMN7R8-120PSQ

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PSMN7R8-120PSQ
    PSMN7R8-120PSQ

    PSMN7R8-120PSQ

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 24559

  • NXP/恩智浦

  • TO-220AB

  • 22+

  • -
  • PSMN7R8-120PSQ
    PSMN7R8-120PSQ

    PSMN7R8-120PSQ

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT78

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PSMN7R8-120PSQ
    PSMN7R8-120PSQ

    PSMN7R8-120PSQ

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 7500

  • NXP

  • 原厂原装

  • 1708+

  • -
  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

  • PSMN7R8-120PSQ
    PSMN7R8-120PSQ

    PSMN7R8-120PSQ

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • NEXPERIA

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • PSMN7R8-120PSQ
    PSMN7R8-120PSQ

    PSMN7R8-120PSQ

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • TO-262-3

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 120V 70A...

  • PSMN7R8-120PSQ
    PSMN7R8-120PSQ

    PSMN7R8-120PSQ

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 24870

  • NXP SEMIC

  • TUBE

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • PSMN7R8-120PSQ
    PSMN7R8-120PSQ

    PSMN7R8-120PSQ

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

    电话:13138879988

    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 375

  • NEX

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
  • 1.10802 USD,szpoweri...

  • 1/1页 40条/页 共13条 
  • 1
PSMN7R8-120PSQ PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PSMN7R8-120PS/SIL3P/RAILH// - Rail/Tube
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 120V TO-220AB
PSMN7R8-120PSQ 技术参数
  • PSMN7R8-120ESQ 功能描述:MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):120V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):167nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9473pF @ 60V FET 功能:- 功率耗散(最大值):349W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.9 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 标准包装:50 PSMN7R8-100PSEQ 功能描述:MOSFET N-CH 100V SIL3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tj) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):128nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7110pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):294W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN7R6-60XSQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):51.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2651pF @ 30V 功率 - 最大值:46W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片 供应商器件封装:TO-220F-3 标准包装:50 PSMN7R6-60PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):92A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):38.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2651pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):149W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN7R6-60BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):92A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):38.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2651pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):149W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN8R5-100PSFQ PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100XSQ PSMN8R5-108ESQ PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R7-100YSFQ PSMN8R7-100YSFX PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80PS,127 PSMN9R0-25MLC,115 PSMN9R0-25YLC,115 PSMN9R0-30LL,115 PSMN9R0-30YL,115 PSMN9R1-30YL,115 PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100PS,127 PSMN9R5-100XS,127 PSMN9R5-30YLC,115
配单专家

在采购PSMN7R8-120PSQ进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买PSMN7R8-120PSQ产品风险,建议您在购买PSMN7R8-120PSQ相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的PSMN7R8-120PSQ信息由会员自行提供,PSMN7R8-120PSQ内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号