PSMN6R5-25YLC_代理商_批发/采购【买卖IC网】PSMN6R5-25YLC

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说明
操作

PSMN6R5-25YLC
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
NXP/恩智浦
SOT-669
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PSMN6R5-25YLC,115
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
367304
NEXPERIA
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

PSMN6R5-25YLC,115
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
367304
NEXPERIA
con
24+
-

PSMN6R5-25YLC
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
NEXPERIA
con
24+
-
晶体管

PSMN6R5-25YLC,115
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
367304
NEXPERIA
con
24+
-

PSMN6R5-25YLC
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
NEXPERIA
con
24+
-
晶体管

PSMN6R5-25YLC
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Nexperia
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PSMN6R5-25YLC,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

PSMN6R5-25YLC,115
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
39800
NXP
SOT-669
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

PSMN6R5-25YLC,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，电源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 25V 64A ...

PSMN6R5-25YLC
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
115
16640
1521+
NXP SEMIC
-
REEL

PSMN6R5-25YLC,115
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1500
NEXPERIA
主营优势
1825
-
100%原装正品★终端免费供样★

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 25V 64A LFPAK
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH, 25V, 64A, LFPAK
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH, 25V, 64A, LFPAK; Transistor Polarity

PSMN6R5-25YLC 技术参数

PSMN6R4-30MLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V MLFP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:832pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:51W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.3 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）标准包装:1 PSMN6R3-120PS 功能描述:MOSFET N-CH 120V 70A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:207.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:11384pF @ 60V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:405W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.7 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN6R3-120ESQ 功能描述:MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:207.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:11384pF @ 60V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:405W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.7 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 标准包装:50 PSMN6R1-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:817pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:47W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 基本零件编号:PSMN6R1 标准包装:1 PSMN6R1-25MLDX 功能描述:PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:702pF @ 12V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:42W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.24 毫欧 @ 15A， 10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）标准包装:1 PSMN7R0-100XS,127 PSMN7R0-30MLC,115 PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-40LS,115 PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R5-25YLC,115 PSMN7R5-30MLDX PSMN7R5-30YLDX PSMN7R5-60YLX PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60PS,127 PSMN7R6-60XSQ PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-120ESQ PSMN7R8-120PSQ PSMN8R0-30YL,115

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