PSMN6R3-120ESQ

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PSMN6R3-120ESQ
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9133
NXP
TO-262
14+
-
绝对公司原装现货

PSMN6R3-120ESQ
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

PSMN6R3-120ESQ
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
TO-262-3
18+
-
MOSFET N-CH 120V 70A...

PSMN6R3-120ESQ
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2395
NXP SEMIC
1521+
-
全新原装现货

PSMN6R3-120ESQ
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Nexperia
22+
-
原装正品

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功能描述
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
120V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
207.1nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
11384pF @ 60V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
405W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
6.7 毫欧 @ 25A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
标准包装
50

PSMN6R3-120ESQ 技术参数

PSMN6R1-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:817pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:47W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 基本零件编号:PSMN6R1 标准包装:1 PSMN6R1-25MLDX 功能描述:PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:702pF @ 12V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:42W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.24 毫欧 @ 15A， 10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）标准包装:1 PSMN6R0-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:832pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:47W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 基本零件编号:PSMN6R0 标准包装:1 PSMN6R0-30YLB,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:19nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1088pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:58W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN6R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1425pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:55W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN7R0-100ES,127 PSMN7R0-100PS,127 PSMN7R0-100XS,127 PSMN7R0-30MLC,115 PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-40LS,115 PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R5-25YLC,115 PSMN7R5-30MLDX PSMN7R5-30YLDX PSMN7R5-60YLX PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60PS,127 PSMN7R6-60XSQ PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-120ESQ