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PSMN4R3-80ES

配单专家企业名单
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  • PSMN4R3-80ES
    PSMN4R3-80ES

    PSMN4R3-80ES

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人：张小姐

    电话：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质：营业执照

  • 17035

  • NXP/恩智浦

  • I2PAK

  • 22+

  • -

  • PSMN4R3-80ES
    PSMN4R3-80ES

    PSMN4R3-80ES

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人：彭先生

    电话：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质：营业执照

  • 6000

  • NXP/恩智浦

  • I2PAK

  • 22+

  • -

  • 十年配单，只做原装

  • PSMN4R3-80ES
    PSMN4R3-80ES

    PSMN4R3-80ES

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • TapeReel

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PSMN4R3-80ES
    PSMN4R3-80ES

    PSMN4R3-80ES

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • NXP/PH

  • 2PAK

  • 最新批号

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  • 一级代理.原装特价现货！

  • PSMN4R3-80ES,127
    PSMN4R3-80ES,127

    PSMN4R3-80ES,127

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN4R3-80ES
    PSMN4R3-80ES

    PSMN4R3-80ES

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：刘小姐

    电话：15961889150

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • I2PAK/TO-262

  • 25+

  • -

  • 国产品牌，替代进口

  • PSMN4R3-80ES,127
    PSMN4R3-80ES,127

    PSMN4R3-80ES,127

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • I2PAK

  • 18+

  • -

  • MOSFET N-CH 80V 120A...

  • PSMN4R3-80ES
    PSMN4R3-80ES

    PSMN4R3-80ES

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 127

  • 2475

  • 1521+

  • NXP SEMIC

  • -

  • 管件

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 80V 120A SOT226
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH, 80V, 120A, SOT226
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH, 80V, 120A, SOT226, Transistor Polarity
PSMN4R3-80ES 技术参数
  • PSMN4R3-30PL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:41.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:103W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN4R3-30BL,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:41.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:103W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.1 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN4R3-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:170nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9900pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:338W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN4R3-100ES,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:170nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9900pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:338W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 标准包装:50 PSMN4R2-60PLQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V 130A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:151nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:8533pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60PS,127 PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100PSEQ PSMN5R0-100ES,127 PSMN5R0-100PS,127 PSMN5R0-100XS,127 PSMN5R0-30YL,115 PSMN5R0-80BS,118 PSMN5R0-80PS,127 PSMN5R2-60YLX PSMN5R3-25MLDX PSMN5R4-25YLDX PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R6-100BS,118 PSMN5R6-100PS,127 PSMN5R6-100XS,127 PSMN5R6-100YSFQ
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