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PSMN1R5-40ES

配单专家企业名单
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  • PSMN1R5-40ES
    PSMN1R5-40ES

    PSMN1R5-40ES

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人：张小姐

    电话：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质：营业执照

  • 50000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT226

  • -

  • 授权代理/原厂FAE技术支持

  • PSMN1R5-40ES
    PSMN1R5-40ES

    PSMN1R5-40ES

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：刘小姐

    电话：15961889150

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • I2PAK/TO-262

  • 25+

  • -

  • 国产品牌，替代进口

  • PSMN1R5-40ES
    PSMN1R5-40ES

    PSMN1R5-40ES

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • NXP/PH

  • 2PAK

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • PSMN1R5-40ES,127
    PSMN1R5-40ES,127

    PSMN1R5-40ES,127

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN1R5-40ES,127
    PSMN1R5-40ES,127

    PSMN1R5-40ES,127

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • I2PAK

  • 18+

  • -

  • MOSFET N-CH 40V 120A...

  • PSMN1R5-40ES
    PSMN1R5-40ES

    PSMN1R5-40ES

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 127

  • 25000

  • 1521+

  • NXP SEMIC

  • -

  • 管件

  • PSMN1R5-40ES,127
    PSMN1R5-40ES,127

    PSMN1R5-40ES,127

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人：郑小姐

    电话：15338868823

    地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质：营业执照

  • 8595

  • NXP/恩智浦

  • NA

  • 11+

  • -

  • 8595

  • PSMN1R5-40ES,127
    PSMN1R5-40ES,127

    PSMN1R5-40ES,127

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人：李瑞兵

    电话：18897698645

    地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Nexperia

  • 22+

  • -

  • 原装正品

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  • 1
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 40V 120A SOT226
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH, 40V, 120A, SOT226
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH, 40V, 120A, SOT226; Transistor Polarity
PSMN1R5-40ES 技术参数
  • PSMN1R5-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4044pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:179W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.55 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN1R5-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:77.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5057pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:109W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN1R5-30BLEJ 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:228nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14934pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:401W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN1R5-25YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:76nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4830pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:109W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN1R4-40YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:96nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6661pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:238W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN1R7-30YL,115 PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R8-30BL,118 PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R9-25YLC,115 PSMN1R9-40PLQ PSMN2R0-25MLDX PSMN2R0-25YLDX PSMN2R0-30BL,118 PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30YL,115 PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-60ES,127 PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PSRQ PSMN2R1-40PLQ
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