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PSMN1R5-30BLEJ

配单专家企业名单
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  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 48000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT404

  • -
  • 授权代理/原厂FAE技术支持

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 367007

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 367007

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • NXP

  • D2PAK

  • 最新批号

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  • 代理此型号,原装正品现货!

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 367007

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 30V 120A...

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 11220

  • NXP SEMIC

  • 剪切带(CT

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 800

  • NEXPERIA

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PSMN1R5-30BLE/D2PAK/REEL13// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V D2PAK
PSMN1R5-30BLEJ 技术参数
  • PSMN1R5-25YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):76nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4830pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):109W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN1R4-40YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):96nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6661pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):238W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN1R4-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):54.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3840pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):166W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.42 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN1R3-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6227pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):121W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SOT-1023,4-LFPAK 标准包装:1 PSMN1R2-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):68nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4616pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):194W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.24 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN1R7-25YLC,115 PSMN1R7-25YLDX PSMN1R7-30YL,115 PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R8-30BL,118 PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R9-25YLC,115 PSMN1R9-40PLQ PSMN2R0-25MLDX PSMN2R0-25YLDX PSMN2R0-30BL,118 PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30YL,115 PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-60ES,127 PSMN2R0-60PS,127
配单专家

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