PSMN015-110P_代理商_批发/采购【买卖IC网】PSMN015-110P

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PSMN015-110P
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
15370
NXP/恩智浦
TO-220
23+
-
全新原装正品现货热卖

PSMN015-110P
深圳市深科创科技有限公司
深圳市深科创科技有限公司
联系人：吴先生/吴小姐/朱先生
电话：0755-832472900755-828652018324751083223957
地址：深圳市福田区航都大厦17F1可提供13%增值税发票
7500
NXP/恩智浦
TO-220
2020+
-
全新原装现货渠道优势库存假一罚十

PSMN015-110P
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
NXP/恩智浦
TO-220AB
22+
-
十年配单，只做原装

PSMN015-110P
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
50
NXP/恩智浦
NA
21+
-
全新原装现货，价格有优势.

PSMN015-110P
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
TO-220-3
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PSMN015-110P
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
PHI
管
07+
-
假一罚十，百分百原装正品

PSMN015-110P
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
18652
PHILIPS
TO220
2024+
-
保证原装现货

PSMN015-110P
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
PH
TO-220
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PSMN015-110P,127
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
NULL
NULL
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

PSMN015-110P
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
NXP
TO-220
15+
-
原装正品，假一罚十

PSMN015-110P
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220
25+
-
国产品牌，替代进口

PSMN015-110P
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
SOT78/TO-220AB
PH (NXP)
17+
-
原装正品。优势供应

PSMN015-110P,127
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
TO-220AB
18+
-
MOSFET N-CH 110V 75A...

PSMN015-110P
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2250
PHILIPS
TO-220
449
-
全新原装现货

PSMN015-110P
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4580
NXP
TO-220铁头
2207+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

PSMN015-110P
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
NXP
22+
-
原装正品

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功能描述
MOSFET RAIL PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

PSMN015-110P 技术参数

PSMN015-100YLX 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:69A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:86.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6139pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:195W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.7 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN015-100P,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:90nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4900pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN015-100B,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:90nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4900pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN014-80YLX 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:62A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:28.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4640pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:147W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN014-60LS,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1264pF @ 30V 功率 - 最大值:65W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN3333（3.3x3.3）标准包装:1 PSMN017-30LL,115 PSMN017-30PL,127 PSMN017-60YS,115 PSMN017-80BS,118 PSMN017-80PS,127 PSMN018-100ESFQ PSMN018-100PSFQ PSMN018-80YS,115 PSMN019-100YLX PSMN020-100YS,115 PSMN020-150W,127 PSMN020-30MLCX PSMN021-100YLX PSMN022-30BL,118 PSMN022-30PL,127 PSMN023-40YLCX PSMN023-80LS,115 PSMN025-100D,118

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