PMG4318TP_代理商_批发/采购【买卖IC网】PMG4318TP

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说明
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PMG4318TP
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
5000
ERICSSON
20+
-
进口原装现货

PMG4318TP
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ERICSSO
DIP
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PMG4318TP
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Ericsson
06+
-
假一罚十，百分百原装正品

PMG4318TP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
ERICSSON
1521+
-
全新原装现货

PMG4318TP
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
12
ERICSSON
DIP-10
648
-
原厂直供渠道诚信特价热卖DL

PMG4318TP
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3646
ERICSSON
/
2225+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
DC/DC转换器 0.8-2.5V 15A Non-Iso Input 3.3V 37.5W
RoHS
否
制造商
Murata
产品
输出功率
输入电压范围
3.6 V to 5.5 V
输入电压（标称）
输出端数量
1
输出电压（通道 1）
3.3 V
输出电流（通道 1）
600 mA
输出电压（通道 2）
输出电流（通道 2）
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体尺寸

PMG4318TP 技术参数

PMFPB8040XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:8.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）:485mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:102 毫欧 @ 2.7A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN2020-6 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMFPB8032XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:8.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）:485mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:102 毫欧 @ 2.7A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN2020-6 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMFPB6545UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 10V 功率 - 最大值:520mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-HUSON（2x2）标准包装:1 PMFPB6532UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 10V 功率 - 最大值:520mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-HUSON（2x2）标准包装:1 PMF87EN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:80 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:135pF @ 15V 功率 - 最大值:275mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 PMGD290XN,115 PMGD370XN,115 PMGD400UN,115 PMGD780SN,115 PMGD8000LN,115 PMH0603-100 PMH0603-100-RC PMH0603-300 PMH0603-600 PMH0805-100 PMH0805-201 PMH0805-301 PMH0805-400 PMH0805-601 PMH0805-800 PMH-10H-AC120V PMH-10H-AC220V PMH-10H-AC240V

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