您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > P字母型号搜索 >

PMDPB65UP

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PMDPB65UP
    PMDPB65UP

    PMDPB65UP

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NXP/恩智浦

  • SOT1118

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PMDPB65UP
    PMDPB65UP

    PMDPB65UP

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • SOT1118

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • PMDPB65UP
    PMDPB65UP

    PMDPB65UP

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • NXP

  • DFN2020

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • PMDPB65UP
    PMDPB65UP

    PMDPB65UP

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 638850

  • NXP

  • SOT1118

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,价格超越代理!

  • PMDPB65UP,115
    PMDPB65UP,115

    PMDPB65UP,115

  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-292759351581559886118576729816

    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 69800

  • NXP

  • 近两年生产

  • DFN-6

  • -
  • 每一片都来自原厂

  • PMDPB65UP,115
    PMDPB65UP,115

    PMDPB65UP,115

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • 6-HUSON(2x2)

  • 18+

  • -
  • MOSFET 2P-CH 20V 3.5...

  • PMDPB65UP
    PMDPB65UP

    PMDPB65UP

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 1050

  • NXP

  • DFN202

  • 1214+

  • -
  • 全新原装现货

  • PMDPB65UP,115
    PMDPB65UP,115

    PMDPB65UP,115

  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人:

    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -
  • 原厂原装现货,代找紧缺料

  • PMDPB65UP
    PMDPB65UP

    PMDPB65UP

  • 深圳市泽芯微科技有限公司
    深圳市泽芯微科技有限公司

    联系人:柯小姐

    电话:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亚洲国利大厦A座24层12室

  • 37700

  • nxp

  • sot118

  • 11+

  • -
  • 原装现货

PMDPB65UP PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET PP CH 20V 3.5A SOT1118
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, PP CH, 20V, 3.5A, SOT1118
PMDPB65UP 技术参数
  • PMDPB58UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):67 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):9.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):804pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN2020-6 标准包装:1 PMDPB56XNEAX 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):72 毫欧 @ 3.1A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):256pF @ 15V 功率 - 最大值:485mW(Ta) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN2020D-6 标准包装:1 PMDPB56XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.1A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):73 毫欧 @ 3.1A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):170pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-HUSON(2x2) 标准包装:1 PMDPB55XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):25nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):785pF @ 10V 功率 - 最大值:490mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN2020-6 标准包装:1 PMDPB42UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.9A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 3.9A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):185pF @ 10V 功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-HUSON(2x2) 标准包装:1 PMDR-0-9 PMDR-1 PMDR-10-19 PMDR-2 PMDR-20-29 PMDR-3 PMDR-30-39 PMDR-4 PMDR-40-49 PMDR-5 PMDR-50-59 PMDR-6 PMDR-60-69 PMDR-7 PMDR-70-79 PMDR-8 PMDR-80-89 PMDR-9
配单专家
PMDPB65UP相关热门型号

在采购PMDPB65UP进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买PMDPB65UP产品风险,建议您在购买PMDPB65UP相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的PMDPB65UP信息由会员自行提供,PMDPB65UP内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号