PMBFJ308,215

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说明
操作

PMBFJ308,215
现货
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
0
6000
SOT-23-3
21+
-
原装正品，假一赔十！

PMBFJ308,215
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SOT-23（TO-236AB）
18+
-
JFET N-Channel 25V 1...

PMBFJ308,215
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
NXP
原厂原装
1725+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

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功能描述
射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
电阻汲极/源极 RDS（导通）
漏源电压 VDS
40 V
闸/源截止电压
5 V
闸/源击穿电压
40 V
最大漏极/栅极电压
40 V
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
25 mA to 75 mA
漏极连续电流
功率耗散
250 mW
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Reel

PMBFJ308,215 技术参数

PMBFJ177,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.5mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:800mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:300 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ176,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1V @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:250 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ175,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:7mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:3V @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:125 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ174,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:20mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:85 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBFJ113,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:3V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）:100 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL PMBT2907AYSX PMBT3904,215 PMBT3904,235 PMBT3904/8,215 PMBT3904M,315 PMBT3904MB,315 PMBT3904VS,115