PHD110NQ03LT_代理商_批发/采购【买卖IC网】PHD110NQ03LT

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PHD110NQ03LT
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
NXP/恩智浦
TO-252
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PHD110NQ03LT
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：竺小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
DPAK/TO-252
25+
-
国产品牌，替代进口

PHD110NQ03LT
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
TO-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PHD110NQ03LT
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
PHNXP
SOT428TO-252
22+
-
十年配单，只做原装

PHD110NQ03LT
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
NXP
TO-252
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

PHD110NQ03LT
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
PH
SOT428/TO-252
08+
-
假一罚十，百分百原装正品

PHD110NQ03LT
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
SOT428/TO-252
PH (NXP)
17+
-
原装正品。优势供应

PHD110NQ03LT,118
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
DPAK
18+
-
MOSFET N-CH 25V 75A ...

PHD110NQ03LT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
250
NXP
TO-252
13+
-
全新原装现货

PHD110NQ03LT
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
5000
nxp
to-252
15+
-
进口原装现货，一定自己库存

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PHD110NQ03LT 技术参数

PHC2300,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:340mA，235mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:102pF @ 50V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 PHC21025,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A，2.3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 PHB66NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:860pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:93W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PHB-5R0V505-R 功能描述:5F Supercap 5V Radial, Can 130 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 70°C 0.839" L x 0.433" W (21.30mm x 11.00mm) 制造商:eaton 系列:PowerStor PHB 包装:散装零件状态:有效电容:5F 容差:-10%，+30% 电压 - 额定:5V ESR（等效串联电阻）:130 毫欧 @ 100Hz 不同温度时的使用寿命:70°C 时为 1000 小时端接:通孔安装类型:通孔封装/外壳:径向，Can 引线间距:0.209"（5.30mm）大小/尺寸:0.839" 长 x 0.433" 宽（21.30mm x 11.00mm）高度 - 安装（最大值）:1.280"（32.50mm）工作温度:-25°C ~ 70°C 标准包装:100 PHB-5R0V305-R 功能描述:3F Supercap 5V Radial, Can 200 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 70°C 0.681" L x 0.354" W (17.30mm x 9.00mm) 制造商:eaton 系列:PowerStor PHB 包装:散装零件状态:有效电容:3F 容差:-10%，+30% 电压 - 额定:5V ESR（等效串联电阻）:200 毫欧 @ 100Hz 不同温度时的使用寿命:70°C 时为 1000 小时端接:通孔安装类型:通孔封装/外壳:径向，Can 引线间距:0.465"（11.80mm）大小/尺寸:0.681" 长 x 0.354" 宽（17.30mm x 9.00mm）高度 - 安装（最大值）:1.280"（32.50mm）工作温度:-25°C ~ 70°C 标准包装:100 PHD18NQ10T,118 PHD20N06T,118 PHD21N06LT,118 PHD22NQ20T,118 PHD23NQ10T,118 PHD3055E,118 PHD33NQ20T,118 PHD34NQ10T,118 PHD36N03LT,118 PHD37N06LT,118 PHD38999/20FB4PN PHD38999/20WB4PN PHD38999/24FB4PN PHD38999/26FB4SN PHD38999/26WB4SN PHD38999/26WC8SN PHD38999/26WF30SN PHD3899920FF30PN

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