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PDTD113EU

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  • PDTD113EUF 带阻三极管
    PDTD113EUF 带阻三极管

    PDTD113EUF 带阻三极管

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人：张小姐

    电话：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质：营业执照

  • 300000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT-323

  • -

  • 授权代理/原厂FAE技术支持

  • PDTD113EUF
    PDTD113EUF

    PDTD113EUF

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人：丁皓鹏

    电话：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质：营业执照

  • 10000

  • PHA

  • SOT323

  • 15+

  • -

  • 原装正品，价格优势！

  • PDTD113EUX
    PDTD113EUX

    PDTD113EUX

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 5000

  • NXP SEMIC

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • PDTD113EU
    PDTD113EU

    PDTD113EU

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    联系人：吴

    电话：18320850923

    地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室

  • 50000

  • 19+

  • -

  • 全新进口原装现货

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PDTD113EU 技术参数
  • PDTD113ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:1 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:33 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23） 标准包装:1 PDTC144WT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:22 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23） 标准包装:1 PDTC144WM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:22 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTC144 标准包装:1 PDTC144WE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTC144TM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTC144 标准包装:1 PDTD114EQAZ PDTD114ETR PDTD114ETVL PDTD114EUF PDTD114EUX PDTD123EK,115 PDTD123EQAZ PDTD123ES,126 PDTD123ET,215 PDTD123EUF PDTD123EUX PDTD123TK,115 PDTD123TS,126 PDTD123TT,215 PDTD123YK,115 PDTD123YQAZ PDTD123YS,126 PDTD123YT,215
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