PDTC143TK,115

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说明
操作

PDTC143TK,115
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
FSC
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

PDTC143TK,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SMT3
18+
-
Pre-Biased Bipolar T...

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您是不是要找： PDTC143TM,315 PDTC143TMB,315 PDTC143TS,126 PDTC143TT,215 PDTC143TT,235 PDTC143TU,115 PDTC143TU,135 PDTC143XE,115 PDTC143XEF,115

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功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶体管极性
NPN/PNP
典型输入电阻器
典型电阻器比率
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作频率
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
150 mA
峰值直流集电极电流
功率耗散
200 mW
最大工作温度
封装
Reel

PDTC143TK,115 技术参数

PDTC143TE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTC143EU,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:4.7 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323-3 基本零件编号:DTC143 标准包装:1 PDTC143ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:4.7 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:DTC143 标准包装:1 PDTC143EM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:4.7 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:DTC143 标准包装:1 PDTC143EEF,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:4.7k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SC-89 标准包装:1 PDTC143XK,115 PDTC143XM,315 PDTC143XMB,315 PDTC143XQAZ PDTC143XS,126 PDTC143XT,215 PDTC143XTVL PDTC143XU,115 PDTC143ZE,115 PDTC143ZEF,115 PDTC143ZK,115 PDTC143ZM,315 PDTC143ZMB,315 PDTC143ZQAZ PDTC143ZS,126 PDTC143ZT,215 PDTC143ZT,235 PDTC143ZU,115