PD55008STR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PD55008STR-E
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
PowerSO-10RF（直引线）
18+
-
RF Mosfet LDMOS 12.5...

1/1页 40条/页共12条
1

您是不是要找： PD55008STR-E PD55008TR PD55008TR-E PD55015-E PD55015S-E PD55015STR-E PD55015TR-E PD55025 PD55025-E

PD55008STR PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PD55008STR PDF下载

功能描述
射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 4.0 Amp
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶体管极性
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
汲极/源极击穿电压
漏极连续电流
闸/源击穿电压
最大工作温度
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Tray

PD55008STR 技术参数

PD55008S-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:8W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）标准包装:50 PD55008L-E 功能描述:TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:19dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:8W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFLAT?（5x5）标准包装:1 PD55008-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:8W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装:10-PowerSO 标准包装:50 PD55003S-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）标准包装:50 PD55003L-E 功能描述:TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:19dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFLAT?（5x5）标准包装:1 PD55025S-E PD55025STR-E PD55025TR-E PD55035-E PD55035S-E PD55035STR-E PD57002 PD57002-E PD57002S-E PD57006-E PD57006S PD57006S-E PD57006STR-E PD57006TR-E PD57018 PD57018-E PD57018S PD57018S-E