NCP5106ADR2G/BDR2G

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NCP5106ADR2G/BDR2G 技术参数

NCP5106ADR2G 功能描述:功率驱动器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP5104PG 功能描述:功率驱动器IC NCP5104 RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP5104DR2G 功能描述:功率驱动器IC NCP5104 RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP508SQ33T1G 功能描述:低压差稳压器 - LDO LDO RoHS:否制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 NCP508SQ30T1G 功能描述:低压差稳压器 - LDO LDO RoHS:否制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 NCP5109BMNTWG NCP5111DR2G NCP5111PG NCP51145MNTAG NCP51145PDR2G NCP51190MNTAG NCP51198PDR2G NCP51199PDR2G NCP511SN15T1 NCP511SN15T1G NCP511SN18T1 NCP511SN18T1G NCP511SN25T1 NCP511SN25T1G NCP511SN27T1 NCP511SN27T1G NCP511SN28T1 NCP511SN28T1G