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MT29F256G08CMCABH212 技术参数

MT29F256G08CMCABH2-10Z:A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF TBGA 3.3V SYNCH/PAGE READ MASS - Bulk MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256GBIT TBGA MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF TBGA 3.3V SYNCH/PAGE READ MASS - Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256GBIT TBGA MT29F256G08CMAAAC5:A 功能描述:IC FLASH NAND 256GB 52VLGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步存储容量:1.125M（32K x 36）速度:5ns 接口:并联电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17）包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 MT29F256G08CKCBBH2-10:B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF TBGA 3.3V SYNCH/PAGE READ MASS - Bulk MT29F256G08CMCDBJ5-6ITR:D MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR MT29F256G08EECDBJ4-5M:D TR MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR MT29F2G01AAAEDH4:E MT29F2G01AAAEDH4:E TR MT29F2G01AAAEDH4-IT:E MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR MT29F2G01ABAGD12-AAT:G MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR MT29F2G01ABAGD12-IT:G MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G