MD190B29TEL

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深圳市华芯盛世科技有限公司
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深圳市时兴宇电子有限公司
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MD190B29TEL 技术参数

MD1822K6-G 功能描述:功率驱动器IC HI SPD 4CH MSFET DRV w/2INVR&2NONINVR OUT RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MD1821K6-G 功能描述:功率驱动器IC HI SPD 4CH MSFET DRV w/INVERTING OUT RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MD1820K6-G 功能描述:功率驱动器IC HI SPD 4CH MSFET DRV w/NON-INVERTING OUT RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MD1813K6-G 功能描述:功率驱动器IC High Speed Quad RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MD1812K6-G 功能描述:功率驱动器IC High Speed Quad RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MD1-9PH106 MD1-9PH72 MD1-9PL1 MD1-9PL2 MD1-9PS MD1-9SH003 MD1-9SH006 MD1-9SH010 MD1-9SH016 MD1-9SH017 MD1-9SH019 MD1-9SH107 MD1-9SH60 MD1-9SL1 MD1-9SL2 MD1-9SL82 MD1-9SS MD1-9SS2