MCH6603_代理商_批发/采购【买卖IC网】MCH6603

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数量
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批号
价格
说明
操作

MCH6603
深圳市奥伟斯科技有限公司
深圳市奥伟斯科技有限公司
联系人：江小姐 ADS触摸芯片一级代理
电话：0755-83254770
地址：深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层
资质：营业执照
30000
SANYO
SOT-363
18+
-
专业SMD MOS

MCH6603-TL-E
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
72540
SANYO
MCPH6
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

MCH6603
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SANYO
SMD
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

MCH6603-TL-H
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10
资质：营业执照
55840
ON Semiconductor
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

MCH6603
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
SANYO
SOT-363
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

MCH6603-TL-H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
3200
ON Semiconductor
ROHS
1308+
-
全新原装现货库存！400-800-030...

MCH6603-TL-H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6755
ON Semiconductor
MCPH-6
201321
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

MCH6603-TL-E
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

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制造商
SANYO
制造商全称
Sanyo Semicon Device
功能描述
Ultrahigh-Speed Switching Applications

MCH6603 技术参数

MCH6429-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 3A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.2nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:680pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6412-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:41 毫欧 @ 3A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:49 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:225mV @ 15mA，750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:375mV @ 15mA，750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:450MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6662-TL-H MCH6662-TL-W MCH6663-TL-H MCH6663-TL-W MCH6664-TL-W MCH6935-TL-E MCH-BUTTON-LP4 MCHC11F1CFNE2 MCHC11F1CFNE2R MCHC11F1CFNE3 MCHC11F1CFNE3R MCHC11F1CFNE4 MCHC11F1CFNE4R MCHC11F1CFNE5 MCHC11F1VFNE3 MCHC11F1VFNE4 MCHC11F1VFNE4R MCHC705B16NCFNE

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