MC33152BDR2

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MC33152BDR2G
深圳市亿联芯电子科技有限公司
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联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
ON/安森美
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MC33152BDR2 技术参数

MC33151VDR2G 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MC33151VDR2 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MC33151PG 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MC33151P 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MC33151DR2G 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MC33153D MC33153DG MC33153DR2 MC33153DR2G MC33153P MC33153PG MC33160DW MC33160DWG MC33160DWR2 MC33160DWR2G MC33160P MC33160PG MC33161D MC33161DG MC33161DMR2 MC33161DMR2G MC33161DR2 MC33161DR2G