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MBR120ESFTIG

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人：彭先生

    电话：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

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MBR120ESFTIG 技术参数
  • MBR12060CTR 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR12060CT 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR12045CTR 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基，反极性 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR12045CT 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR12040CTR 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR12100LPS-TP MBR1240MFST1G MBR1240MFST3G MBR12U100L-TP MBR130HWTR MBR130LSFT1 MBR130LSFT1G MBR130T1 MBR130T1G MBR130T3 MBR130T3G MBR140ESFT1G MBR140ESFT3G MBR140HWTR MBR140SFT1 MBR140SFT1G MBR140SFT3 MBR140SFT3G
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