M58LR128HB85ZB5E-0

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M58LR128HB85ZB5E-002
深圳市华芯盛世科技有限公司
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865000
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M58LR128HB85ZB5E-0
甄芯网
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资质：营业执照
1004
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M58LR128HB85ZB5E-0 技术参数

M58BW32FB5ZA3T TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 55NS LBGA M58BW32FB5ZA3F 功能描述:IC FLASH 32MBIT 55NS 80LBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ M58BW32FB5T3T 功能描述:IC FLASH 32MBIT 55NS 80PQFP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ M58BW32FB5T3F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 55NS 80QFP M58BW32FB4ZA3T 功能描述:IC FLASH 32MBIT 45NS 80LBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ M58LR128KT85ZB6F TR M58LR256KB70ZC5E M58LR256KB70ZC5F TR M58LR256KB70ZC5W TR M58LR256KB70ZC5Z M58LR256KB70ZQ5E M58LR256KB70ZQ5F TR M58LR256KB70ZQ5W TR M58LR256KB70ZQ5Z M58LR256KT70ZC5E M58LR256KT70ZC5F TR M58LR256KT70ZQ5E M58LR256KT70ZQ5F TR M58LT128HSB8ZA6E M58LT128HSB8ZA6F M58LT128HSB8ZA6F TR M58LT128HST8ZA6E M58LT128HST8ZA6F