LTE480WV-F01

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LTE480WV-F01
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
85
SAMSUNG
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LTE480WV-F01 技术参数

LTE-4208 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 3.31mW/sr @ 20mA 20° T 1 3/4 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:3.31mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 LTE-4206 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 60mA 1.38mW/sr @ 20mA 20° T-1 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:60mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.38mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T-1 标准包装:1,000 LTE-3371TL 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.25V 100mA 6.77mW/sr @ 20mA 40° Radial 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装零件状态:过期类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:6.77mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 视角:40° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向标准包装:1,000 LTE-3371T 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.25V 100mA 6.77mW/sr @ 20mA 40° Radial 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:6.77mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 视角:40° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向标准包装:1,000 LTE-3271BL 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.25V 100mA 30mW/sr @ 100mA 50° Radial 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:30mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 视角:50° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向标准包装:1,000 LTE-C9301 LTE-C9306 LTE-R38381S-S-U LTE-R38381-STR-U LTE-R38381S-ZF-U LTE-R38386A-S-U LTE-R38386A-ZF-U LTE-R38386-S LTE-R38386S-S-U LTE-R38386S-ZF-U LTE-S9511E LTF3020T-100M-D LTF3020T-150M-D LTF3020T-1R2N-D LTF3020T-1R8N-D LTF3020T-220M-D LTF3020T-2R2N-D LTF3020T-2R7N-D