JANTX1N6623US

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

JANTX1N6623US
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SQ-MELF
23+
-
微芯专营优势产品

JANTX1N6623US
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
57
Microsemi HI-REL [MIL]
2016+
-
公司现货！只做原装！

JANTX1N6623US
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3397
MICROSEMI
N/A
2237+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Trays
制造商
功能描述
制造商
undefined
功能描述
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE UFAST REC 880V 1.5A

JANTX1N6623US 技术参数

JANTX1N6623U 功能描述:Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/585 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.55V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 JANTX1N6623 功能描述:Diode Standard 880V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/585 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.55V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 880V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 JANTX1N6622US 功能描述:Diode Standard 660V 2A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/585 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:660V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 660V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 JANTX1N6622U 功能描述:Diode Standard 600V 1.2A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/585 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 JANTX1N6622 功能描述:Diode Standard 660V 2A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/585 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:660V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 660V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 JANTX1N6627U JANTX1N6627US JANTX1N6628 JANTX1N6628U JANTX1N6628US JANTX1N6629 JANTX1N6629U JANTX1N6629US JANTX1N6630U JANTX1N6630US JANTX1N6631U JANTX1N6631US JANTX1N6632 JANTX1N6633US JANTX1N6635US JANTX1N6637 JANTX1N6637US JANTX1N6638