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GT30J122(Q)

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操作

GT30J122(Q)
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
TOSHIBA
TO-3P
22+
-
全新原装现货供应

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1

您是不是要找： GT30S-150-150-0.23-0 GT30S-320-320-0.23-0 GT30S-640-320-0.23-0 GT32-10P-1.5H GT32-10S-1.5C GT32-10S-6/CR-MP GT32-10S-6/CR-MP(01) GT32-10S-6/CR-MP(61) GT32-10S-6/CR-MP(62)

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制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS

GT30J122(Q) 技术参数

GT28F320C3TA110 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 47MBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) GT28F320C3TA100SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 100NS 47MBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH 存储容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 GT28F320C3BA110 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 47MBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) GT28F320C3BA100SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 100NS 47MBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH 存储容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 GT28F320C3BA100 功能描述:IC FLASH 32MBIT 100NS 47MBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘供应商设备封装:8-DFN（2x3）包装:管件产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) GT32-10S-6CF GT32-10S-HU GT32-10S-SC GT32-10S-SP GT32-19DP-0.75H GT32-19DS-0.75CA GT32-19DS-0.75CB GT32-19DS-7CF GT32-19DS-HU GT32-19DS-SC GT32S10A GT32S13A GT32S18A GT32S2.5A GT32S22A GT32S4A GT32S6A GT36/WH-MD