DS70LED02

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

DS70LED02
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
9000
DIODES
DFN
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

DS70LED02
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
2380
DIODES
DFN
2012+
-
只做原装正品。

1/1页 40条/页共6条
1

您是不是要找： DS72011RB120FPV DS72011RW100FPV DS72060D200FPV DS72060W200FPV DS72611C120FPV DS72611RB120FPV DS72611RP100FPV DS72611RP80FPV DS72612RB120FPV

DS70LED02 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

DS70LED02 技术参数

DS70850AD80FPV 功能描述:IC SUPERH MPU ROMLESS 144LQFP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:SuperH® SH7080 产品培训模块:CAN Basics Part-1 CAN Basics Part-2 Electromagnetic Noise Reduction Techniques Part 1 M16C Product Overview Part 1 M16C Product Overview Part 2 标准包装:1 系列:M16C™ M32C/80/87 核心处理器:M32C/80 芯体尺寸:16/32-位速度:32MHz 连通性:EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART 外围设备:DMA，POR，PWM，WDT 输入/输出数:121 程序存储器容量:384KB（384K x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:24K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 34x10b，D/A 2x8b 振荡器型:内部工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:144-LQFP 包装:托盘产品目录页面:749 (CN2011-ZH PDF) 配用:R0K330879S001BE-ND - KIT DEV RSK M32C/87 DS70830AN80FTV 功能描述:IC SUPERH MPU ROMLESS 100TQFP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:SuperH® SH7080 产品培训模块:CAN Basics Part-1 CAN Basics Part-2 Electromagnetic Noise Reduction Techniques Part 1 M16C Product Overview Part 1 M16C Product Overview Part 2 标准包装:1 系列:M16C™ M32C/80/87 核心处理器:M32C/80 芯体尺寸:16/32-位速度:32MHz 连通性:EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART 外围设备:DMA，POR，PWM，WDT 输入/输出数:121 程序存储器容量:384KB（384K x 8）程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:24K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 34x10b，D/A 2x8b 振荡器型:内部工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:144-LQFP 包装:托盘产品目录页面:749 (CN2011-ZH PDF) 配用:R0K330879S001BE-ND - KIT DEV RSK M32C/87 DS6630-4R7M 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.4A 60 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS6630，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.4A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:60 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.260" 长 x 0.177" 宽（6.60mm x 4.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.115"（2.92mm）标准包装:1 DS6630-472M 功能描述:4.7mH Shielded Inductor 60mA 25.2 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS6630，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:4.7mH 容差:±20% 额定电流:60mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:25.2 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.260" 长 x 0.177" 宽（6.60mm x 4.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.115"（2.92mm）标准包装:1 DS6630-471M 功能描述:470μH Shielded Inductor 190mA 1.8 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS6630，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:470μH 容差:±20% 额定电流:190mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.8 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.260" 长 x 0.177" 宽（6.60mm x 4.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.115"（2.92mm）标准包装:1 DS72612RP100FPV DS72612RP80FPV DS72613RB120FPV DS72613RP80FPV DS7505S+ DS7505S+T&R DS7505U+ DS7505U+T&R DS75-08B DS750PED-3 DS750PED-3-001 DS75107BN DS75-12B DS75176BM DS75176BM/NOPB DS75176BMX DS75176BMX/NOPB DS75176BN