DN2625DK6-G_代理商_批发/采购【买卖IC网】DN2625DK6-G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

DN2625DK6-G
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
790
Microchip Technology
2016+
-
公司现货！只做原装！

DN2625DK6-G
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
8-VDFN Exposed Pad
23+
-
微芯专营优势产品

DN2625DK6-G
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
Microchip
SMD
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

DN2625DK6-G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

DN2625DK6-G
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Microchip Technology
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

DN2625DK6-G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
VDFN
19+
-
瑞智芯只有原装

DN2625DK6-G
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
45960
Microchip Technology
8-DFN（5x5）
18+
-
原装现货

DN2625DK6-G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
11025
MICROCHIP
TRAY
1521+
-
全新原装现货

DN2625DK6-G
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
20000
MICROCHIP/微芯
VDFN5x5
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

DN2625DK6-G
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
490
MICROCHIP TECHNOLOGY
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL DEPLETION MODE
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

DN2625DK6-G 技术参数

DN1058-471K 功能描述:470μH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 1.48 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058，Coev 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:470μH 容差:±10% 额定电流:420mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.48 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.409" 长 x 0.370" 宽（10.40mm x 9.40mm）高度 - 安装（最大值）:0.228"（5.80mm）标准包装:800 DN1058-470K 功能描述:47μH Unshielded Wirewound Inductor 1.28A 170 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058，Coev 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:47μH 容差:±10% 额定电流:1.28A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:170 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:2.52MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.409" 长 x 0.370" 宽（10.40mm x 9.40mm）高度 - 安装（最大值）:0.228"（5.80mm）标准包装:800 DN1058-101K 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 970mA 350 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058，Coev 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:100μH 容差:±10% 额定电流:970mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:350 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.409" 长 x 0.370" 宽（10.40mm x 9.40mm）高度 - 安装（最大值）:0.228"（5.80mm）标准包装:800 DN1058-100M 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 2.6A 60 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058，Coev 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:2.6A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:60 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:2.52MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.409" 长 x 0.370" 宽（10.40mm x 9.40mm）高度 - 安装（最大值）:0.228"（5.80mm）标准包装:800 DN1047-471K 功能描述:470μH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 1.53 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1047，Coev 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:470μH 容差:±10% 额定电流:350mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.53 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.406" 长 x 0.366" 宽（10.30mm x 9.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.185"（4.70mm）标准包装:1,000 DN3535N8-G DN3545N3-G DN3545N8-G DN3687GFPV DN3694GFPV DN3765K4-G DN4835-102K DN4835-120K DN4835-120M DN4835-150K DN4835-150M DN4835-180K DN4835-180M DN4835-1R0M DN4835-1R4M DN4835-1R8M DN4835-220K DN4835-220M

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