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DMN62D1LFD-7
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
DIODES/美台
X1-DFN1212-3
2021+
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★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

DMN62D1LFD-7
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
DIODES
QFN
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一级代理.原装特价现货！

DMN62D1LFD-7
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

DMN62D1LFD-7
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
1200
DIODES
N/A
22+
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全新原装正品*海量现货库存*全网最低

DMN62D1LFD-7
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
2638
DIODES/美台
X1-DFN1212-3
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DIODES授权代理商

DMN62D1LFD-7
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
DIODES INC.
主营优势
1902
-
100%原装正品★终端免费供样★

DMN62D1LFD-7
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4999
DIODES
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2224+
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十年专营，供应原装正品！热卖现货！

DMN62D1LFD-7
东莞鼎岑科技有限公司
东莞鼎岑科技有限公司
联系人：莫
电话：18925581989
地址：广东省东莞市塘厦镇林村大道445号北钜业大夏319室
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DIODES
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DMN62D1LFD-7 技术参数

DMN4040SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:945pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.71W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252-3 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 DMN4034SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:453pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SOP 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:1 DMN4030LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:604pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.14W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252-3 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 DMN4026SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 28A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1181pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 DMN4015LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2072pF @ 20V 功率 - 最大值:2.19W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标准包装:1 DMN63D1LV-7 DMN63D1LW-13 DMN63D1LW-7 DMN63D8L-13 DMN63D8L-7 DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LV-7 DMN63D8LW-13 DMN63D8LW-7 DMN65D8L-7 DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDWQ-13 DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LFB-7 DMN65D8LFB-7B DMN65D8LQ-13

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