CPH5901-TL-E

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CPH5901-TL-E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
2000
SANYO
CPH5
05+
-
全新原装100%正品保证质量

CPH5901-TL-E
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
1730
SANYO
SOT23-5
假一赔十！
-
原装自己现货！！

CPH5901-TL-E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
SANYO
CPH5
05+
-
全新原装100%正品保证质量

CPH5901-TL-E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
10000
SANYO
SOT-153
15+
-
原装正品，假一罚十

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1

您是不是要找： CPH5902G-TL-E CPH5902H-TL-E CPH5905G-TL-E CPH5905H-TL-E CPH6001A-TL-E CPH6003A-TL-E CPH6005-TL-E CPH6006-TL-E CPH6020-TL-E

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CPH5901-TL-E 技术参数

CPH5901G-TL-E 功能描述:TRANS NPN/JFET N-CH 15V CPH5 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN + FET 应用:放大器电压 - 额定:50V 额定电流:150mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:3,000 CPH5901F-TL-E 功能描述:TRANS NPN/JFET N-CH 15V CPH5 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN + FET 应用:放大器电压 - 额定:50V 额定电流:150mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:3,000 CPH5871-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.5A CPH5 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:3,000 CPH5852-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A CPH5 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式），逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:145 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:1 CPH5617-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.15A CPH5 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 欧姆 @ 80mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:5-SMD，鸥翼型供应商器件封装:5-CPH 标准包装:3,000 CPH6021-TL-H CPH6071-TL-E CPH6102-TL-E CPH6121-TL-E CPH6122-TL-E CPH6123-TL-E CPH6153-P-TL-E CPH6153-TL-E CPH6223-TL-E CPH6311-TL-E CPH6337-TL-E CPH6337-TL-W CPH6341-M-TL-E CPH6341-M-TL-W CPH6341-TL-E CPH6341-TL-W CPH6347-TL-H CPH6347-TL-W