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CMH192E6327
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
QFN
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CMH192E6327
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
INFINEON
QFN
23+
-
只做原装正品

CMH192E6327
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
〓〓全新〓〓
★最新批号★
-
假一罚十，百分百原装正品

CMH192E6327
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
TRIQUINT
QFN
18+
-
优势库存，原装现货

CMH192E6327
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
620
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QFN
0134+
-
全新原装现货

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CMH192E6327 技术参数

CMH08A(TE12L,Q,M) 功能描述:Diode Standard 400V 2A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1 CMH08(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 2A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.3V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMH07(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:980mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMH05A(TE12L,Q,M) 功能描述:Diode Standard 400V 1A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1 CMH05(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMH322522-180KL CMH322522-181KL CMH322522-18NML CMH322522-1R0KL CMH322522-1R2KL CMH322522-1R5KL CMH322522-1R8KL CMH322522-220KL CMH322522-221KL CMH322522-22NML CMH322522-270KL CMH322522-271KL CMH322522-27NML CMH322522-2R2KL CMH322522-2R7KL CMH322522-330KL CMH322522-331KL CMH322522-33NML

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